安徽格恩请求一种具有二维空穴注入层的GaN基半导体发光元件专利提高半导体发光元件的光电转化功率

　　金融界2025年1月16日音讯，国家知识产权局信息数据显现，安徽格恩半导体有限公司请求一项名为“一种具有二维空穴注入层的GaN基半导体发光元件”的专利，公开号CN 119300567 A，请求日期为2024年9月。

　　专利摘要显现，本发明触及半导体光电器材技术领域，详细公开了一种具有二维空穴注入层的GaN基半导体发光元件。该具有二维空穴注入层的GaN基半导体发光元件，从下至上顺次包含衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体，其特征是，所述p型半导体与量子阱之间具有二维空穴注入层和电子阻挡层；该具有二维空穴注入层的GaN基半导体发光元件，经过调控二维空穴注入层、电子阻挡层与p型半导体及量子阱之间界面的电子亲和能和击穿场强的界面改变视点和界面均匀性，下降二维空穴注入层与量子阱界面的空穴注入势垒和提高二维空穴注入层与电子阻挡层界面的电子溢流势垒，提高空穴注入量子阱的功率，然后提高半导体发光元件的光电转化功率WPE。

　　天眼查资料显现，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，坐落六安市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册本钱8505.7882万人民币，实缴本钱1316.6667万人民币。经过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外出资了1家企业，参加招投标项目4次，知识产权方面有商标信息2条，专利信息425条，此外企业还具有行政许可12个。